Мемристорные накопители в 2013 году

17.10.11

Массив мемристоров (около 50 нм)

Массив мемристоров (около 50 нм)

Прежде чем покупать новый компьютер с SSD-диском или сам SSD-диск, Вам стоит потратить минутку времени и послушать то, о чем рассказывают представители компании Hewlett-Packard. Компания HP планирует через год-полтора выбросить на рынок технологию, которая будет конкурировать с флэш-памятью, а к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современный компьютерах в качестве оперативной памяти. Для достижения этих целей компания Hewlett-Packard объединяет усилия с компанией Hynix Semiconductor.

Мемристоры считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Возможность существования мемристора была предсказана в 1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли (США) Леоном Чуа (Leon Chua), однако на практике создать прототип мемристора удалось только в 2008 году силами НР.

Физически мемристоры представляют собой проводники, изготовленные из диоксида титана, шириной всего в 150 атомов. Когда через эти проводники протекает электрический ток определенной силы в нужном направлении, это приводит к изменению сопротивления всего проводника. И это свойство делает мемристор ячейкой памяти, для записи в нее 1 или 0 требуется только пропустить сквозь него электрический ток в определенном направлении. Прочитать записанную в мемристор информацию можно просто измерив его сопротивление.

Подобно флэш-памяти, мемристоры могут хранить информацию, вообще не потребляя энергии. Производство мемристоров несложно и легко реализуемо при использовании современных технологий производства компьютерных чипов. И развитие области использования мемристоров, согласно информации от компании HP, давно прошло стадию научного проекта, теперь это – коммерческий продукт.

Преимущества мемристоров по сравнению с флэш-памятью огромны, время чтения информации из одной ячейки составляет 10 наносекунд, а время стирания и записи – 0.1 наносекунды. Данные, записанные в мемристоры, могут храниться годами, а каждая ячейка, согласно расчетам, без потери информации сможет выдержать 1,000,000,000,000 циклов стирания-записи. Плотность хранения данных в мемристорных микросхемах памяти увеличится по сравнению с флэш-памятью минимум в два раза, скорость – в 10 раз, а расход энергии уменьшится в 10 раз. И это при стоимости, такой же, как и стоимость флэш-памяти.

Новая память, ReRAM (Resistive Random Access Memory), согласно планам HP, появится на рынке уже к 2013 году. Немного позже на рынке станут появляться образцы мемристорной памяти, заменяющие память DRAM и SRAM, что позволит значительно ускорить процесс загрузки компьютеров.

Компания HP является не единственной компанией в мире, которая ведет работу в данном направлении. Над мемристорами и их использованием в качестве памяти ведет работу компания Samsung, так что можно надеяться, что благодаря конкуренции новые продукты на основе памяти ReRAM будут относительно недорогими и поэтому доступными.

eetimes.com
---

Комментарии:

 

---