Разрабатывается сверэкономичная компьютерная память нового типа

30.09.11

Структура FeTRAM памяти

Структура FeTRAM памяти

Специалисты Центра нанотехнологий Бёрка при Университете Пердью (США) предложили технологию изготовления памяти с произвольным доступом на основе сегнетоэлектрических транзисторов (Ferroelectric Transistor Random Access Memory, FeTRAM).

Новая методика предусматривает использование кремниевых нанопроводов и «сегнетоэлектрического полимера» — материала, изменяющего полярность при приложении электрического поля. Исследователи называют подобную структуру «сегнетоэлектрическим транзистором».

Предполагается, что микрочипы, изготовленные по технологии FeTRAM, будут потреблять существенно меньше энергии по сравнению с современной флеш-памятью. Экономия, как отмечается, теоретически может достигать 99%.

Другое достоинство FeTRAM — высокое быстродействие, потенциально превышающее показатели скорости передачи данных статической оперативной памяти с произвольным доступом (SRAM). При этом микрочипы FeTRAM будут энергонезависимыми, то есть смогут хранить информацию при отсутствии питания.

Впрочем, пока технология FeTRAM находится на ранней стадии развития, и сроки выпуска коммерческих продуктов на её основе не оговариваются. Но не исключено, что рано или поздно FeTRAM-чипы появятся в компьютерах и портативных гаджетах. Разработчики уже подали патентную заявку на своё изобретение.

purdue.edu/newsroom/research/2011/110926AppenzellerMemory.html
---
---

Комментарии:

 

---